Фазовые равновесия в системе Zn-Ge-As по разрезу ZnAs2-Ge

Исследование особенностей полупроводниковых материалов, которые содержат бистабильные амфотерные центры. Характеристика этапов построения тройной диаграммы состояния Zn-Ge-As, вызванного образованием в ней тройного полупроводникового соединения ZnGeAs2.

25.06.2010 | Физика | Физика и энергетика | Язык: русский | Просмотры: 61