Малошумящий интегральный усилитель

Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.

22.08.2013 | Интегральные устройства радиоэлектроники | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 29