Представление методики контроля морфологии пленки Ge при эпитаксии на поверхности Si(100) с помощью регистрации и анализа изменения профилей интенсивности на дифракционной картине быстрых электронов. Принципы формирования "hut"- и "dome"-кластеров.
07.06.2011 |
Химия |
Химия |
Язык: русский |
Просмотры: 84
