Исследование плотности халькогенидных стеклообразных полупроводников систем As-S и As-Se в широком интервале температур
Синтез стеклообразных полупроводников AsXS1-X и AsXSe1-X, его закономерности, этапы. Устройство для определения плотности расплавов халькогенидных стекол. Зависимость плотности стекол и расплавов системы AsXS1-X и AsXSе1-X от температуры и состава.
24.02.2012 |
Химия |
Химия |
Язык: русский |
Просмотры: 151