Легирование полупроводниковых материалов

Легирование выращенных кристаллов и объемных кристаллов из жидкой фазы. Пассивные и активные методы выравнивания состава кристалла, механическая подпитка расплава, изменение условий выращивания. Растворимость и взаимодействие между примесными ионами.

14.03.2010 | Материаловедение | Производство и технологии | Язык: русский | Просмотры: 93