Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Теоретические сведения о процессах легирования. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Анализ бинарной диаграммы состояния Si-Al. Расчет примеси в полупроводнике после диффузионного отжига.
10.12.2015 |
Физическая химия материалов и процессов электронной техники |
Производство и технологии |
Язык: русский |
Просмотры: 138