Физическая химия материалов и процессов электронной техники

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Теоретические сведения о процессах легирования. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Анализ бинарной диаграммы состояния Si-Al. Расчет примеси в полупроводнике после диффузионного отжига.

10.12.2015 | Физическая химия материалов и процессов электронной техники | Производство и технологии | Язык: русский | Просмотры: 137