Технология производства полупроводниковых приборов

Исследование процессов ионного легирования полупроводниковых материалов

Физические особенности процесса ионного легирования. Анализ влияния технологических параметров на процесс ионной имплантации, распределение внедренных примесных атомов, радиационные дефекты. Схема устройства для ионной имплантации, методы моделирования.

25.12.2009 | Технология производства полупроводниковых приборов | Производство и технологии | Язык: русский | Просмотры: 98