Применение ионно-имплантированных структур при изготовлении полупроводниковых приборов. Использование импульсного фотонного отжига для устранения радиационных дефектов в имплантированных слоях. Особенности лазерного воздействия на монокристаллы GaAs.
18.06.2012 |
Материаловедение |
Производство и технологии |
Язык: русский |
Просмотры: 88
