Строение полупроводникового материала группы АIIIВV – GaAs, сравнение свойств арсенида галлия со свойствами кремния, способы получения, использование в качестве деталей транзисторов. Перспективы развития технологии изготовления приборов на его основе.
04.12.2012 |
Материаловедение |
Производство и технологии |
Язык: русский |
Просмотры: 481
