Характеристики электронных ламп, ФЭУ МПД-транзисторов. Импульсные сигналы. Современные интегральные микросхемы
Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
13.11.2012 |
Электроника и импульсная техника |
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Язык: русский |
Просмотры: 90