Электроника и схемотехника

Исследование работы полупроводникового диода и стабилитрона, сравнение их характеристик

Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.

27.07.2013 | Электроника и схемотехника | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 74