Радиоэлектроника

Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники

Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.

02.06.2011 | Радиоэлектроника | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 45