Силові IGBT і MOSFET транзистори

Особливості застосування силових транзисторів IGBT і MOSFET, які стали основними елементами, вживаними в могутніх імпульсних перетворювачах. Технічні характеристики драйверів для захисту від перевантажень: драйвер трьохфазного моста та нижнього плеча.

06.11.2010 | Радіоелектроніка | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: украинский | Просмотры: 41