Электроника и наноэлектроника

Исследование влияния формы контактных площадок на параметры возникающих колебаний тока в полуизолирующем GaAs

Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.

18.07.2014 | Электроника и наноэлектроника | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 38