Описание процесса термического окисления, цели его проведения и применяемое оборудование. Краткая характеристика и общее строение интегральной микросхемы. Последовательность формирования изолированных областей в изопланарной структуре транзистора.
07.01.2011 |
Радиоэлектроника |
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Язык: русский |
Просмотры: 39
