ИМС и основы их проектирования

Расчет геометрических размеров резисторов и разработка топологии интегральных микросхем

Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.

26.05.2010 | ИМС и основы их проектирования | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 70