Радиоэлектроника

Оценка конструкторских и технологических параметров системы многослойных металлических межсоединений при разработке БИС

Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.

14.12.2013 | Радиоэлектроника | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 48