Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки
Механизм электронного транспорта в полупроводниках. Методы математического моделирования кинетических процессов. Реализация численной модели расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки. Анализ распределения электрофизических параметров.
07.01.2013 |
Радиоэлектроника |
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Язык: русский |
Просмотры: 94
