Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
08.05.2009 |
Материалы электронной техники |
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Язык: русский |
Просмотры: 86
