Полупроводниковые приборы

Расчет параметров структуры интегрального n-p-n транзистора и определение технологических режимов его изготовления

Рассмотрение синтеза структуры транзистора с использованием расчетных соотношений и параметров материалов, применяемых в производстве. Расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов, их конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики.

21.09.2010 | Полупроводниковые приборы | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 40