Розрахунок напівпровідникового діода та біполярного транзистора
Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
23.01.2012 |
Твердотіла електроніка |
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Язык: украинский |
Просмотры: 77
