Полупроводниковые оптоэлектронные приборы

Разработка полупроводникового гетеролазера для использования в ВОЛС III поколения

Расчет полупроводниковой лазерной структуры на основе соединений третей и пятой групп для волоконно-оптических линий связи III поколения. Выбор структуры кристалла. Расчет параметров, РОС-резонатора, внутреннего квантового выхода, оптического ограничения.

05.11.2015 | Полупроводниковые оптоэлектронные приборы | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 73