Моделювання станів транзистора 2Т909Б

Дослідження характеру залежності струму колектора від напруги на колекторно-емітерному переході і струму бази для вихідних вольт-амперних характеристик транзистора. Використання досліджуваного транзистора 2Т909Б у широкосмугових підсилювачах потужності.

31.07.2010 | Електронні прилади | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: украинский | Просмотры: 50