Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
26.11.2009 |
Физические основы электроники |
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Язык: русский |
Просмотры: 38
