Радиоэлектроника

Температурные зависимости параметров вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода

Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.

01.02.2012 | Радиоэлектроника | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 131