Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке

Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.

30.10.2011 | Микроэлектроника | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 66