Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
13.12.2011 |
Мікроелектроніка надвисоких частот |
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Язык: украинский |
Просмотры: 49
