Технология получения полупроводниковых подложек кремния

Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.

22.05.2015 | Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 130