Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором

Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.

07.05.2013 | Конструирование и технология изделий интегральной электроники | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 56