Электроника

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект

Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создания приборов, их преимущества и применение. Понятие явления резонансного туннелирования электронов.

28.12.2013 | Электроника | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 75