Твердотельная электроника

Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора

Характеристики интегрального n-канального МДП-транзистора: технологический маршрут, структура, топология. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора с учетом эффектов короткого и узкого канала. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы.

25.11.2014 | Твердотельная электроника | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 47