Исследование статического элемента памяти запоминающего устройства с произвольной выборкой

Изучение принципа работы, основных переключательных характеристик и методов определения функциональных параметров элемента памяти. Устройство элемента памяти, построенного на биполярных двухэмиттерных транзисторах, используемого в интегральных схемах.

08.11.2011 | Полупроводниковые интегральные схемы памяти | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника | Язык: русский | Просмотры: 41