Исследование статического элемента памяти запоминающего устройства с произвольной выборкой
Изучение принципа работы, основных переключательных характеристик и методов определения функциональных параметров элемента памяти. Устройство элемента памяти, построенного на биполярных двухэмиттерных транзисторах, используемого в интегральных схемах.
08.11.2011 |
Полупроводниковые интегральные схемы памяти |
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Язык: русский |
Просмотры: 41