Фізика напівпроводникових сполучень

Осцилятор терагерцового діапазону на основі надрешітки AlAs/GaAs

Загальна характеристика терагерцового випромінювання. Напівпровідникові гетероструктури. Загальна характеристика речовин GaAs, AlAs. Будова надрешітки. Рух електронів у статичному електричному полі та у терагерцових полях. Використання осцилятора.

04.12.2014 | Фізика напівпроводникових сполучень | Физика и энергетика | Язык: украинский | Просмотры: 67