Расчет параметров модели p-n перехода (плоскостного диода)

Определение величины обратного тока диодной структуры. Расчет вольт-амперной характеристики идеального и реального переходов. Зависимости дифференциального сопротивления, барьерной и диффузионной емкости, толщины обедненного слоя от напряжения диода.

28.02.2016 | Электротехника | Физика и энергетика | Язык: русский | Просмотры: 151