Расчет параметров модели p-n перехода (плоскостного диода)
Определение величины обратного тока диодной структуры. Расчет вольт-амперной характеристики идеального и реального переходов. Зависимости дифференциального сопротивления, барьерной и диффузионной емкости, толщины обедненного слоя от напряжения диода.
28.02.2016 |
Электротехника |
Физика и энергетика |
Язык: русский |
Просмотры: 151
