Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии

Термодинамический анализ молекулярно-лучевой эпитаксии InGaPAs

Термодинамическая модель роста соединения GaхIn1-хPуAs1-у. Константы равновесия реакций образования бинарных соединений, используемые при расчетах. Влияние переиспаренных потоков элементов на стехиометрический состав, тонкости технических проблем.

28.10.2014 | Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии | Физика и энергетика | Язык: русский | Просмотры: 77