Фазовые равновесия в системе Zn-Ge-As по разрезу ZnAs2-Ge
Исследование особенностей полупроводниковых материалов, которые содержат бистабильные амфотерные центры. Характеристика этапов построения тройной диаграммы состояния Zn-Ge-As, вызванного образованием в ней тройного полупроводникового соединения ZnGeAs2.
25.06.2010 |
Физика |
Физика и энергетика |
Язык: русский |
Просмотры: 85
