Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия на подложках из антимонида никеля
Методы получения монокристаллов. Структурные характеристики материала. Эпитаксиальные методы выращивания слоев GaAs. Особенности процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Строение, физические свойства пленок арсенида галлия и его основное применение.
26.10.2014 |
Физика |
Физика и энергетика |
Язык: русский |
Просмотры: 60
