Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)

Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.

Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)

07.06.2011 | Физика и техника полупроводников | Физика и энергетика | Язык: русский | Просмотры: 149