Расчет параметров кремниевого интегрального МДП-транзистора

Электрические характеристики кремниевого интегрального n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры. Корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала.

17.12.2014 | Твердотельная электроника | Физика и энергетика | Язык: русский | Просмотры: 65