Расчет параметров кремниевого интегрального МДП-транзистора
Электрические характеристики кремниевого интегрального n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры. Корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала.
17.12.2014 |
Твердотельная электроника |
Физика и энергетика |
Язык: русский |
Просмотры: 65
