Зависимость ширины запрещенной зоны в кремнии от температуры
Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.
11.02.2014 |
Физика твердого тела |
Физика и энергетика |
Язык: русский |
Просмотры: 159
