Определение относительной концентрации атомов донорной примеси полупроводника, уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии; удельные сопротивления областей полупроводника. Режим работы и схема включения транзистора, полярность напряжений.
12.01.2012 |
Теоретические основы электротехники |
Физика и энергетика |
Язык: русский |
Просмотры: 80
