Дефекты реальных кристаллов, принцип работы биполярных транзисторов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Поверхностные явления в полупроводниках. Параметры транзистора и коэффициент передачи тока эмиттера.
22.10.2009 |
Физические основы электронных устройств |
Физика и энергетика |
Язык: русский |
Просмотры: 60
