Вивчення основних закономірностей тліючого розряду. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів. Дослідження впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників.
20.03.2009 |
Фізичні основи електроніки |
Физика и энергетика |
Язык: украинский |
Просмотры: 116
