Физика и технология

Определение технологических режимов формирования р-п структур GaSb для термофотовольтаических преобразователей

Физические основы фотоэлектрического метода, р-п перехода в полупроводниках. Диоды и триоды. Структура для термовольтаических преобразователей. Расчет распределения примеси при одностадийной и двухстадийная диффузии. Расчет глубины залегания р-п перехода.

24.09.2010 | Физика и технология | Физика и энергетика | Язык: русский | Просмотры: 57