Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.
08.06.2015 |
Физика |
Физика и энергетика |
Язык: русский |
Просмотры: 86
