Технологія одержання плівок типу арсенід галію методом молекулярно-променевої епітаксії
Сутність технології GаАs: особливості арсеніду галію і процес вирощування об'ємних монокристалів. Загальна характеристика молекулярно-променевої епітаксії, яка потрібна для отримання плівок складних напівпровідникових з’єднань. Розвиток технологій GаАs.
25.10.2011 |
Фізика |
Физика и энергетика |
Язык: украинский |
Просмотры: 104
