Плотность обратного тока диода Шотки на основе структуры "алюминий-кремний" при обратном смещении. Концентрация электронов в кремнии при заданной температуре. Потенциальный барьер за счет эффекта Шотки, его высота. Ток насыщения и площадь контакта.
15.04.2014 |
Общая электротехника |
Физика и энергетика |
Язык: русский |
Просмотры: 170
