Основні методи нанесення епітаксіальних шарів напівпровідника
Фізичні основи процесу епітаксія, механізм осадження кремнію з газової фази. Конструкції установок для одержання епітаксійних шарів кремнію. Характеристика, обладнання молекулярно-променевої епітаксії. Легування, гетероепітаксія кремнію на фосфіді галію.
29.10.2010 |
Технологiчнi основи електронiки |
Физика и энергетика |
Язык: украинский |
Просмотры: 49
