Технологічні основи електроніки розрахунок дифузійного діоду
Розрахунок дифузійного p-n переходу. Визначення коефіцієнта дифузії та градієнта концентрацій. Графік розподілу концентрації домішкових атомів у напівпровіднику від глибини залягання шару. Розрахунок вольт-амперної характеристики отриманого переходу.
18.12.2014 |
Фізика напівпровідникових приладів |
Физика и энергетика |
Язык: украинский |
Просмотры: 99
